STGP3NB60KD

制造商编号:
STGP3NB60KD
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 10A 50W TO220
规格说明书:
STGP3NB60KD说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: PowerMESH™
包装: 管件
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 10 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.8V @ 15V,3A
功率 - 最大值: 50 W
开关能量: 30µJ(开),58µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 14 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 14ns/33ns
测试条件: 480V,3A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 45 ns
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
标准包装: 1,000

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型号 品牌 参考价格 说明
STGF6NC60HD STMicroelectronics ¥11.67000 类似

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品牌:ST意法半导体

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