- 制造商编号：
- SIZF918DT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
- 规格说明书：
- SIZF918DT-T1-GE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 6000 | ￥6.629631 | ￥39777.79 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® Gen IV |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 23A（Ta），40A（Tc），35A（Ta），60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.4V @ 250µA，2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 22nC @ 10V，56nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1060pF @ 15V，2650pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 3.4W（Ta），26.6W（Tc），3.7W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PowerPair®（6x5） |
| 标准包装: | 3,000 |
SIZF918DT-T1-GE3
型号：SIZF918DT-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
库存：0
单价：
| 6000+： | ￥6.629631 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00