库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥105.038799 | ￥105.04 |
| 10 | ￥94.893006 | ￥948.93 |
| 100 | ￥78.566361 | ￥7856.64 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 145 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 4mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 92 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 5300 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 830W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-268AA |
| 封装/外壳: | TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
| 标准包装: | 30 |
IXFT42N50P2
型号：IXFT42N50P2
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 500V 42A TO268
库存：0
单价：
| 1+： | ￥105.038799 |
| 10+： | ￥94.893006 |
| 100+： | ￥78.566361 |
| 500+： | ￥68.414575 |
| 1000+： | ￥60.188799 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥105.04