- 制造商编号：
- SI2304DDS-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
- 规格说明书：
- SI2304DDS-T1-GE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.302015 | ￥4.30 |
| 10 | ￥3.456532 | ￥34.57 |
| 100 | ￥2.352804 | ￥235.28 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.3A（Ta），3.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 60 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 235 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.1W（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | ¥3.53000 | 类似 |
| RSR025N03TL | Rohm Semiconductor | ¥5.07000 | 类似 |
| AO3406 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥3.30000 | 类似 |
| AO3424 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥3.69000 | 类似 |
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | ¥4.45000 | 类似 |
SI2304DDS-T1-GE3
型号：SI2304DDS-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.302015 |
| 10+： | ￥3.456532 |
| 100+： | ￥2.352804 |
| 500+： | ￥1.764647 |
| 1000+： | ￥1.323479 |
| 3000+： | ￥1.213193 |
| 6000+： | ￥1.139661 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.30