SI1308EDL-T1-GE3

制造商编号:
SI1308EDL-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
规格说明书:
SI1308EDL-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.587987 4.59
10 3.705204 37.05
100 2.520906 252.09

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 132 毫欧 @ 1.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 105 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 400mW(Ta),500mW(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-70-3
封装/外壳: SC-70,SOT-323
标准包装: 3,000

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SI1308EDL-T1-GE3

型号:SI1308EDL-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323

库存:0

单价:

1+: ¥4.587987
10+: ¥3.705204
100+: ¥2.520906
500+: ¥1.890698
1000+: ¥1.418011
3000+: ¥1.299868
6000+: ¥1.221076

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