IRF7426TR

制造商编号:
IRF7426TR
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 20V 8SO
规格说明书:
IRF7426TR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 4,000

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IRF7426TR

型号:IRF7426TR

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 20V 8SO

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