IXKR25N80C

制造商编号:
IXKR25N80C
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
规格说明书:
IXKR25N80C说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 244.829427 244.83
10 225.766277 2257.66
100 192.790958 19279.10

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: CoolMOS™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 355 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): -
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: ISOPLUS247™
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

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IXKR25N80C

型号:IXKR25N80C

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

库存:0

单价:

1+: ¥244.829427
10+: ¥225.766277
100+: ¥192.790958
500+: ¥175.033656

货期:1-2天

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