STFI11N65M2

制造商编号:
STFI11N65M2
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
规格说明书:
STFI11N65M2说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ II Plus
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 670 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 410 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 25W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I2PAKFP(TO-281)
封装/外壳: TO-262-3 整包,I²Pak
标准包装: 50

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型号 品牌 参考价格 说明
STF11N65M2 STMicroelectronics ¥15.28000 类似

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品牌:ST意法半导体

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