库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.870279 | ￥5.87 |
| 10 | ￥5.059839 | ￥50.60 |
| 100 | ￥3.774646 | ￥377.46 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A，11A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 17.9 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11.1nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 500pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 2W |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | HSML3030L10 |
| 标准包装: | 3,000 |
HS8K11TB
型号：HS8K11TB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
库存：0
单价：
| 1+： | ￥5.870279 |
| 10+： | ￥5.059839 |
| 100+： | ￥3.774646 |
| 500+： | ￥2.965756 |
| 1000+： | ￥2.291723 |
| 3000+： | ￥2.089512 |
| 6000+： | ￥1.954712 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.87