货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥5.870279 | ¥5.87 |
10 | ¥5.059839 | ¥50.60 |
100 | ¥3.774646 | ¥377.46 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A,11A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 17.9 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 11.1nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 500pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 2W |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-UDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | HSML3030L10 |
标准包装: | 3,000 |
HS8K11TB
型号:HS8K11TB
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
库存:0
单价:
1+: | ¥5.870279 |
10+: | ¥5.059839 |
100+: | ¥3.774646 |
500+: | ¥2.965756 |
1000+: | ¥2.291723 |
3000+: | ¥2.089512 |
6000+: | ¥1.954712 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.87