MRF6V10250HSR3

制造商编号:
MRF6V10250HSR3
制造商:
NXP恩智浦
描述:
FET RF 100V 1.09GHZ NI780S
规格说明书:
MRF6V10250HSR3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.09GHz
增益: 21dB
电压 - 测试: 50 V
额定电流(安培): -
噪声系数: -
电流 - 测试: 250 mA
功率 - 输出: 250W
电压 - 额定: 100 V
封装/外壳: NI-780S
供应商器件封装: NI-780S
标准包装: 250

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
CGH40180PP Wolfspeed, Inc. ¥3,429.81000 类似
CGHV60040D-GP4 Wolfspeed, Inc. ¥382.46200 类似
ARF463AG Microchip Technology ¥300.12000 类似

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MRF6V10250HSR3

型号:MRF6V10250HSR3

品牌:NXP恩智浦

描述:FET RF 100V 1.09GHZ NI780S

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