IXKK85N60C

制造商编号:
IXKK85N60C
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 600V 85A TO264A
规格说明书:
IXKK85N60C说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 417.462326 417.46
10 389.461666 3894.62
100 338.159075 33815.91

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: CoolMOS™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 36 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 650 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264AA
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
标准包装: 25

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FCH043N60 onsemi ¥131.71000 类似

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IXKK85N60C

型号:IXKK85N60C

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 600V 85A TO264A

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1+: ¥417.462326
10+: ¥389.461666
100+: ¥338.159075

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