货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥14.179858 | ¥14.18 |
10 | ¥12.639908 | ¥126.40 |
100 | ¥9.855002 | ¥985.50 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 N 通道(双),肖特基 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A (Tc),60A (Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.7 毫欧 @ 15A,10V,2.8 毫欧 @ 19A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 8.1nC @ 4.5V,19.8nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 930pF @ 15V,2620pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 20.2W,32.9W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装: | 8-PowerPair®(6x5) |
标准包装: | 3,000 |
SIZ998DT-T1-GE3
型号:SIZ998DT-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
库存:0
单价:
1+: | ¥14.179858 |
10+: | ¥12.639908 |
100+: | ¥9.855002 |
500+: | ¥8.141313 |
1000+: | ¥6.42742 |
3000+: | ¥6.42742 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥14.18