1PS193,135

制造商编号:
1PS193,135
制造商:
NXP恩智浦
描述:
DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3
规格说明书:
1PS193,135说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V
电流 - 平均整流 (Io): 215mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 100 mA
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 80 V
不同 Vr、F 时电容: 1.5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SMT3; MPAK
工作温度 - 结: 150°C(最大)
标准包装: 10,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BAS16E6433HTMA1 Infineon Technologies ¥0.19127 类似
BAS16E6327HTSA1 Infineon Technologies ¥2.23000 类似
BAS16,215 Nexperia USA Inc. ¥1.00000 类似

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1PS193,135

型号:1PS193,135

品牌:NXP恩智浦

描述:DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3

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