IRLHM620TRPBF

制造商编号:
IRLHM620TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
规格说明书:
IRLHM620TRPBF说明书

库存 :27118

货期: 国内(1~2天)

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 10.509509 10.51
10 9.419803 94.20
100 7.344688 734.47

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 @ 20A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3620 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.7W(Ta),37W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PQFN(3x3)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
标准包装: 4,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FDMC7570S onsemi ¥23.19000 类似

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IRLHM620TRPBF

型号:IRLHM620TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN

库存:27118

单价:

1+: ¥10.509509
10+: ¥9.419803
100+: ¥7.344688
500+: ¥6.067634
1000+: ¥5.322474
4000+: ¥5.322474

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