IQE008N03LM5ATMA1

制造商编号:
IQE008N03LM5ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
TRENCH <= 40V PG-TSON-8
规格说明书:
IQE008N03LM5ATMA1说明书

库存 :2054

货期: 国内(1~2天)

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 24.630902 24.63
10 22.105644 221.06
100 17.768691 1776.87

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
封装/外壳: 8-PowerTDFN
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Ta),253A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850µ 欧姆 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5700 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.1W(Ta),89W(Tc)
安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装: PG-TSON-8-4
标准包装: 5,000

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IQE008N03LM5ATMA1

型号:IQE008N03LM5ATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:TRENCH <= 40V PG-TSON-8

库存:2054

单价:

1+: ¥24.630902
10+: ¥22.105644
100+: ¥17.768691
500+: ¥14.598404
1000+: ¥13.903243
5000+: ¥13.903243

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥24.63