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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA，500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V，12V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 10 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 500nA |
| 频率 - 跃迁: | 250MHz，260MHz |
| 功率 - 最大值: | 150mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | EMT6 |
| 标准包装: | 8,000 |
EMF21T2R
型号：EMF21T2R
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
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