SI8405DB-T1-E1

制造商编号:
SI8405DB-T1-E1
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
规格说明书:
SI8405DB-T1-E1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.47W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 4-Microfoot
封装/外壳: 4-XFBGA,CSPBGA
标准包装: 3,000

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SI8405DB-T1-E1

型号:SI8405DB-T1-E1

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT

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