RRE02VS6SGTR

制造商编号:
RRE02VS6SGTR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
DIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2S
规格说明书:
RRE02VS6SGTR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 2-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMD2S
工作温度 - 结: 150°C(最大)
标准包装: 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
RRE02VSM6STR Rohm Semiconductor ¥3.15000 类似

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