库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.387245 | ￥2.39 |
| 10 | ￥1.919743 | ￥19.20 |
| 100 | ￥1.017812 | ￥101.78 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | π-MOSVI |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 12 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.7V @ 100µA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 9.1 pF @ 3 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 150mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | VESM |
| 封装/外壳: | SOT-723 |
| 标准包装: | 8,000 |
SSM3J15FV,L3F
型号：SSM3J15FV,L3F
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
库存：0
单价：
| 1+： | ￥2.387245 |
| 10+： | ￥1.919743 |
| 100+： | ￥1.017812 |
| 500+： | ￥0.669548 |
| 1000+： | ￥0.455268 |
| 2000+： | ￥0.410681 |
| 8000+： | ￥0.357117 |
| 16000+： | ￥0.303541 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.39