- 制造商编号：
- SH8K26GZ0TB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
- 规格说明书：
- SH8K26GZ0TB说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.34824 | ￥7.35 |
| 10 | ￥6.445563 | ￥64.46 |
| 100 | ￥4.942344 | ￥494.23 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 38 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 2.9nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 280pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 2W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOP |
| 标准包装: | 2,500 |
SH8K26GZ0TB
型号：SH8K26GZ0TB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥7.34824 |
| 10+： | ￥6.445563 |
| 100+： | ￥4.942344 |
| 500+： | ￥3.907274 |
| 1000+： | ￥3.125812 |
| 2500+： | ￥2.83279 |
| 5000+： | ￥2.664042 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.35