AUIRF5210STRL

制造商编号:
AUIRF5210STRL
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
规格说明书:
AUIRF5210STRL说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 59.581667 59.58
10 53.492948 534.93
100 43.828583 4382.86

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 @ 38A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 230 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2780 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),170W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

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AUIRF5210STRL

型号:AUIRF5210STRL

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

库存:0

单价:

1+: ¥59.581667
10+: ¥53.492948
100+: ¥43.828583
800+: ¥37.460432

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