- 制造商编号：
- SQ4532AEY-T1_GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
- 规格说明书：
- SQ4532AEY-T1_GE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.705454 | ￥7.71 |
| 10 | ￥6.863097 | ￥68.63 |
| 25 | ￥6.516352 | ￥162.91 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.3A (Tc)，5.3A (Tc) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 31 毫欧 @ 4.9A，10V，70 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 7.8nC @ 10V，10.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 535pF @ 15V，528pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 3.3W |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 标准包装: | 2,500 |
SQ4532AEY-T1_GE3
型号：SQ4532AEY-T1_GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
库存：0
单价：
| 1+： | ￥7.705454 |
| 10+： | ￥6.863097 |
| 25+： | ￥6.516352 |
| 100+： | ￥5.353125 |
| 250+： | ￥5.003484 |
| 500+： | ￥4.421859 |
| 1000+： | ￥3.622612 |
| 2500+： | ￥3.622612 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.71