UGE1112AY4

制造商编号:
UGE1112AY4
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE
规格说明书:
UGE1112AY4说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 717.66566 717.67
10 681.756267 6817.56
100 634.701546 63470.15

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 8000 V
电流 - 平均整流 (Io): 4.2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 6.25 V @ 7 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 8000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 底座安装
封装/外壳: UGE
供应商器件封装: UGE
标准包装: 6

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UGE1112AY4

型号:UGE1112AY4

品牌:IXYS艾赛斯

描述:DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

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单价:

1+: ¥717.66566
10+: ¥681.756267
100+: ¥634.701546

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