DMN3015LSD-13

制造商编号:
DMN3015LSD-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
规格说明书:
DMN3015LSD-13说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.212237 6.21
10 5.304908 53.05
100 3.963635 396.36

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1415pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.2W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRL6372TRPBF Infineon Technologies ¥8.22000 类似

客服

购物车

DMN3015LSD-13

型号:DMN3015LSD-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

库存:0

单价:

1+: ¥6.212237
10+: ¥5.304908
100+: ¥3.963635
500+: ¥3.114052
1000+: ¥2.406313
2500+: ¥2.194003
5000+: ¥2.052432

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥6.21