货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥6.212237 | ¥6.21 |
10 | ¥5.304908 | ¥53.05 |
100 | ¥3.963635 | ¥396.36 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.4A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 15 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 25.1nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1415pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 1.2W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IRL6372TRPBF | Infineon Technologies | ¥8.22000 | 类似 |
DMN3015LSD-13
型号:DMN3015LSD-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
库存:0
单价:
1+: | ¥6.212237 |
10+: | ¥5.304908 |
100+: | ¥3.963635 |
500+: | ¥3.114052 |
1000+: | ¥2.406313 |
2500+: | ¥2.194003 |
5000+: | ¥2.052432 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.21