1N5398G-T

制造商编号:
1N5398G-T
制造商:
Diodes美台
描述:
DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15
规格说明书:
1N5398G-T说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1.5 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AC,DO-15,轴向
供应商器件封装: DO-15
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 4,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5399GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.07000 类似
1N5399-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.00000 类似
GP15M-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.15000 类似

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1N5398G-T

型号:1N5398G-T

品牌:Diodes美台

描述:DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15

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