货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥37.052039 | ¥37.05 |
10 | ¥33.314507 | ¥333.15 |
100 | ¥27.293551 | ¥2729.36 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ON(安森美) |
系列: | PowerTrench® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共源 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 100V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 10.5 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 30nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2060pF @ 50V |
功率 - 最大值: | 2.2W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装: | 8-Power 5x6 |
标准包装: | 3,000 |
FDMD86100
型号:FDMD86100
品牌:ON安森美
描述:MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
库存:0
单价:
1+: | ¥37.052039 |
10+: | ¥33.314507 |
100+: | ¥27.293551 |
500+: | ¥23.234662 |
1000+: | ¥22.267691 |
3000+: | ¥22.267691 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥37.05