货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥14.350837 | ¥14.35 |
10 | ¥12.850782 | ¥128.51 |
100 | ¥10.019483 | ¥1001.95 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 89A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.4 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 45 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2712 pF @ 30 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 117W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | LFPAK56,Power-SO8 |
封装/外壳: | SC-100,SOT-669 |
标准包装: | 1,500 |
PSMN7R0-60YS,115
型号:PSMN7R0-60YS,115
品牌:Nexperia安世
描述:MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
库存:0
单价:
1+: | ¥14.350837 |
10+: | ¥12.850782 |
100+: | ¥10.019483 |
500+: | ¥8.27682 |
1500+: | ¥6.534304 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥14.35