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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 900 | ￥3.462564 | ￥3116.31 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.8A（Ta），41A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17.5 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1314 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | I-Pak |
| 封装/外壳: | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装: | 75 |
NTD4909NA-35G
型号：NTD4909NA-35G
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
库存：0
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| 900+： | ￥3.462564 |
货期：1-2天
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