AIGB50N65H5ATMA1

制造商编号:
AIGB50N65H5ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DISCRETE SWITCHES
规格说明书:
AIGB50N65H5ATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 53.94926 53.95
10 48.421295 484.21
100 39.671294 3967.13

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -
开关能量: -
输入类型: 标准
25°C 时 Td(开/关)值: -
测试条件: -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
标准包装: 1,000

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AIGB50N65H5ATMA1

型号:AIGB50N65H5ATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:DISCRETE SWITCHES

库存:0

单价:

1+: ¥53.94926
10+: ¥48.421295
100+: ¥39.671294
500+: ¥35.381191
1000+: ¥35.381191

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