货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥20.428356 | ¥20.43 |
10 | ¥18.343246 | ¥183.43 |
100 | ¥14.744846 | ¥1474.48 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.3 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 40 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4040 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 110W(Tc) |
工作温度: | 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-251(IPAK) |
封装/外壳: | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装: | 75 |
STU150N3LLH6
型号:STU150N3LLH6
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥20.428356 |
10+: | ¥18.343246 |
100+: | ¥14.744846 |
500+: | ¥12.114823 |
1000+: | ¥10.037907 |
2000+: | ¥9.345643 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.43