- 制造商编号：
- NP110N055PUK-E1-AY
- 制造商：
- Renesas瑞萨
- 描述：
- MOSFET N-CH 55V 110A TO263
- 规格说明书：
- NP110N055PUK-E1-AY说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.803003 | ￥35.80 |
| 10 | ￥32.134933 | ￥321.35 |
| 100 | ￥26.33031 | ￥2633.03 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Renesas(瑞萨) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.75 毫欧 @ 55A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 294 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 16050 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.8W（Ta），348W（Tc） |
| 工作温度: | 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-263 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 800 |
NP110N055PUK-E1-AY
型号：NP110N055PUK-E1-AY
品牌：Renesas瑞萨
描述：MOSFET N-CH 55V 110A TO263
库存：0
单价：
| 1+： | ￥35.803003 |
| 10+： | ￥32.134933 |
| 100+： | ￥26.33031 |
| 800+： | ￥22.409978 |
| 1600+： | ￥20.495435 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.80