PMV30UN2VL

制造商编号:
PMV30UN2VL
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
规格说明书:
PMV30UN2VL说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
10000 0.783563 7835.63

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: TrenchMOS™
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 32 毫欧 @ 4.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 655 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 490mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 10,000

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型号 品牌 参考价格 说明
AO3420 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥3.53000 类似

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型号:PMV30UN2VL

品牌:Nexperia安世

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