IRF6636

制造商编号:
IRF6636
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
规格说明书:
IRF6636说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Ta),81A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2420 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.2W(Ta),42W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DIRECTFET™ ST
封装/外壳: DirectFET™ 等容 ST
标准包装: 4,800

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型号 品牌 参考价格 说明
IRF6636TRPBF Infineon Technologies ¥14.82000 直接

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IRF6636

型号:IRF6636

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

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