NP50P04KDG-E1-AY

制造商编号:
NP50P04KDG-E1-AY
制造商:
Renesas瑞萨
描述:
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
规格说明书:
NP50P04KDG-E1-AY说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 24.50699 24.51
10 22.024375 220.24
100 17.700088 1770.01

规格参数

属性 参数值
制造商: Renesas(瑞萨)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 100 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5100 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.8W(Ta),90W(Tc)
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

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NP50P04KDG-E1-AY

型号:NP50P04KDG-E1-AY

品牌:Renesas瑞萨

描述:MOSFET P-CH 40V 50A TO263

库存:0

单价:

1+: ¥24.50699
10+: ¥22.024375
100+: ¥17.700088
800+: ¥13.841388

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