FDMC4435BZ

制造商编号:
FDMC4435BZ
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
规格说明书:
FDMC4435BZ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.362478 9.36
10 8.326762 83.27
100 6.49107 649.11

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A(Ta),18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 46 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2045 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),31W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
ECH8315-TL-H onsemi ¥5.38000 类似

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FDMC4435BZ

型号:FDMC4435BZ

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP

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1+: ¥9.362478
10+: ¥8.326762
100+: ¥6.49107
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