NTLJD3119CTAG

制造商编号:
NTLJD3119CTAG
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
规格说明书:
NTLJD3119CTAG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: µCool™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A,2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 @ 3.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 271pF @ 10V
功率 - 最大值: 710mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)
标准包装: 3,000

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NTLJD3119CTAG

型号:NTLJD3119CTAG

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

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