库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥79.351044 | ￥79.35 |
| 10 | ￥71.64223 | ￥716.42 |
| 100 | ￥59.315589 | ￥5931.56 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | HiPerFET™, Ultra X2 |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 34A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 105 毫欧 @ 17A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.5V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 56 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3330 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 540W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-247（IXTH） |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 30 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | ¥59.75000 | 类似 |
| AOK42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥52.53000 | 类似 |
| STW37N60DM2AG | STMicroelectronics | ¥54.76000 | 类似 |
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥47.08000 | 类似 |
| APT38N60BC6 | Microchip Technology | ¥51.76000 | 类似 |
IXFH34N65X2
型号：IXFH34N65X2
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 650V 34A TO247
库存：0
单价：
| 1+： | ￥79.351044 |
| 10+： | ￥71.64223 |
| 100+： | ￥59.315589 |
| 500+： | ￥51.650766 |
| 1000+： | ￥45.440583 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥79.35