RFD16N05LSM

制造商编号:
RFD16N05LSM
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
规格说明书:
RFD16N05LSM说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 47 毫欧 @ 16A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 60W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 75

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RFD16N05LSM

型号:RFD16N05LSM

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA

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