货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥7.833149 | ¥7.83 |
10 | ¥6.913065 | ¥69.13 |
100 | ¥5.301301 | ¥530.13 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 750 毫欧 @ 2.75A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 8.1 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 358 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.2W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-252-3 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
RND030N20TL | Rohm Semiconductor | ¥6.22000 | 类似 |
IRFR220TRRPBF | Vishay Siliconix | ¥12.67000 | 类似 |
IRFR220PBF | Vishay Siliconix | ¥7.53000 | 类似 |
ZXMN20B28KTC
型号:ZXMN20B28KTC
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
库存:0
单价:
1+: | ¥7.833149 |
10+: | ¥6.913065 |
100+: | ¥5.301301 |
500+: | ¥4.190859 |
1000+: | ¥3.352687 |
2500+: | ¥3.038392 |
5000+: | ¥2.857408 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.83