- 制造商编号：
- IQE050N08NM5CGATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
- 规格说明书：
- IQE050N08NM5CGATMA1说明书
库存 ：9775
货期： 国内（1~2天）
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥32.377016 | ￥32.38 |
| 10 | ￥29.105744 | ￥291.06 |
| 100 | ￥23.393886 | ￥2339.39 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16A（Ta），101A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.8V @ 49µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 43.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2900 pF @ 40 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta），100W（Tc） |
| 安装类型: | 表面贴装，可润湿侧翼 |
| 供应商器件封装: | PG-TTFN-9-1 |
| 标准包装: | 5,000 |
IQE050N08NM5CGATMA1
型号：IQE050N08NM5CGATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
库存：9775
单价：
| 1+： | ￥32.377016 |
| 10+： | ￥29.105744 |
| 100+： | ￥23.393886 |
| 500+： | ￥19.220459 |
| 1000+： | ￥18.305286 |
| 5000+： | ￥18.305286 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥32.38