- 制造商编号：
- SIUD412ED-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
- 规格说明书：
- SIUD412ED-T1-GE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.916575 | ￥3.92 |
| 10 | ￥3.207861 | ￥32.08 |
| 100 | ￥1.700664 | ￥170.07 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 500mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 340 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 0.71 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 21 pF @ 6 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.25W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerPAK® 0806 |
| 封装/外壳: | PowerPAK® 0806 |
| 标准包装: | 3,000 |
SIUD412ED-T1-GE3
型号：SIUD412ED-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.916575 |
| 10+： | ￥3.207861 |
| 100+： | ￥1.700664 |
| 500+： | ￥1.118748 |
| 1000+： | ￥0.760673 |
| 3000+： | ￥0.686122 |
| 6000+： | ￥0.596612 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.92