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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | eSMP® |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 100 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 4A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.1 V @ 4 A |
| 速度: | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 2.5 µs |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 10 µA @ 100 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 30pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-277，3-PowerDFN |
| 供应商器件封装: | TO-277A（SMPC） |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装: | 1,500 |
S4PBHM3/86A
型号：S4PBHM3/86A
品牌：Vishay威世
描述：DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
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