FDMS86350ET80

制造商编号:
FDMS86350ET80
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
规格说明书:
FDMS86350ET80说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 58.251275 58.25
10 52.296839 522.97
100 42.850061 4285.01

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta),198A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 155 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8030 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),187W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
标准包装: 3,000

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FDMS86350ET80

型号:FDMS86350ET80

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56

库存:0

单价:

1+: ¥58.251275
10+: ¥52.296839
100+: ¥42.850061
500+: ¥36.47716
1000+: ¥34.958959
3000+: ¥34.958884

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥58.25