库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.305625 | ￥8.31 |
| 10 | ￥7.276125 | ￥72.76 |
| 100 | ￥5.578321 | ￥557.83 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 200 毫欧 @ 1.15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 480 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.4W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-223-4 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装: | 4,000 |
IRFM120ATF
型号：IRFM120ATF
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.305625 |
| 10+： | ￥7.276125 |
| 100+： | ￥5.578321 |
| 500+： | ￥4.409317 |
| 1000+： | ￥3.527429 |
| 2000+： | ￥3.507423 |
| 4000+： | ￥3.507423 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.31