- 制造商编号：
- PSMN016-100PS,127
- 制造商：
- Nexperia安世
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
- 规格说明书：
- PSMN016-100PS,127说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.385942 | ￥18.39 |
| 10 | ￥16.509732 | ￥165.10 |
| 100 | ￥13.269794 | ￥1326.98 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 57A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 49 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2404 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 148W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDP3651U | onsemi | ¥19.05000 | 类似 |
| IRL520NPBF | Infineon Technologies | ¥8.29000 | 类似 |
| IRF8010PBF | Infineon Technologies | ¥19.12000 | 类似 |
| IRF520NPBF | Infineon Technologies | ¥9.45000 | 类似 |
| IRL540NPBF | Infineon Technologies | ¥12.52000 | 类似 |
PSMN016-100PS,127
型号：PSMN016-100PS,127
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥18.385942 |
| 10+： | ￥16.509732 |
| 100+： | ￥13.269794 |
| 500+： | ￥10.902601 |
| 1000+： | ￥9.34504 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.39