货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥15.666298 | ¥15.67 |
10 | ¥14.113345 | ¥141.13 |
100 | ¥11.341281 | ¥1134.13 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 800 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.5 欧姆 @ 1.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 38 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 530 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 54W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 1,000 |
IRFBE20PBF
型号:IRFBE20PBF
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
库存:0
单价:
1+: | ¥15.666298 |
10+: | ¥14.113345 |
100+: | ¥11.341281 |
500+: | ¥9.317643 |
1000+: | ¥7.98653 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.67