库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥39.131394 | ￥39.13 |
| 10 | ￥35.154422 | ￥351.54 |
| 100 | ￥28.80506 | ￥2880.51 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | QFET® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 750 毫欧 @ 6.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 88 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3500 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 300W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-3PN |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装: | 450 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXTH13N80 | IXYS | ¥94.08000 | 类似 |
| IXFH14N80P | IXYS | ¥60.13000 | 类似 |
FQA13N80-F109
型号：FQA13N80-F109
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥39.131394 |
| 10+： | ￥35.154422 |
| 100+： | ￥28.80506 |
| 500+： | ￥24.521466 |
| 1000+： | ￥23.500961 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥39.13