库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 200 | ￥1323.566271 | ￥264713.25 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | MCB30P1200LB |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 4 N 沟道（半桥） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 9-PowerSMD |
| 供应商器件封装: | 9-SMPD-B |
| 标准包装: | 200 |
MCB30P1200LB-TRR
型号：MCB30P1200LB-TRR
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MCB30P1200LB-TRR
库存：0
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| 200+： | ￥1323.566271 |
货期：1-2天
+ -
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