MUR20010CT

制造商编号:
MUR20010CT
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
描述:
DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
规格说明书:
MUR20010CT说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
40 1018.010977 40720.44

规格参数

属性 参数值
制造商: GeneSiC(基因半导体公司)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管配置: 1 对共阴极
二极管类型: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 100 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 50 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 双塔架
供应商器件封装: 双塔架
标准包装: 40

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MUR20010CT

型号:MUR20010CT

品牌:GeneSiC基因半导体公司

描述:DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER

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