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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 90A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8.5 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 90nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 17-SMD，鸥翼 |
| 供应商器件封装: | ISOPLUS-DIL™ |
| 标准包装: | 36 |
GWM100-01X1-SMD
型号：GWM100-01X1-SMD
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
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